就
是
對(duì)
待
工
作
的
態(tài)
度
,
個(gè)產(chǎn)品,
做到極致認(rèn)真
每一組數(shù)據(jù)
新 聞 動(dòng) 態(tài)
NEWS
本指南整合半導(dǎo)體行業(yè)核心工藝需求與設(shè)備技術(shù)規(guī)范,覆蓋芯片封裝、基板除潮等關(guān)鍵場(chǎng)景,確保防氧化與潔凈度達(dá)標(biāo)。
?氮?dú)饪刂埔?
氧氣濃度:需全程維持≤10000ppm(黃光工藝膠水固化≤20ppm)?
氮?dú)饧兌龋骸?9.999%
?溫控系統(tǒng)?
溫度范圍:
芯片封裝:150-250℃(升溫斜率≤5℃/min防熱沖擊)?
基板除潮:80-120℃(恒溫時(shí)間0.5-8小時(shí))?
均勻度:±3℃(200℃工況)?
?潔凈度標(biāo)準(zhǔn)?
Class 100級(jí)無塵環(huán)境
?預(yù)處理階段?
設(shè)備檢查:確認(rèn)密封條完整性、氮?dú)夤艿罒o泄漏?
空載測(cè)試:設(shè)置250℃空烤45分鐘,驗(yàn)證溫控穩(wěn)定性??裝載與充氮?
樣品擺放:
? 芯片托盤間距≥5cm(保證熱風(fēng)循環(huán)均勻)?
? 金屬框架單層平鋪(防止疊壓導(dǎo)致氧化色差)?
氮?dú)庵脫Q:
? 先充氮5分鐘(流量20-300L/min)至氧氣濃度<1000ppm?
? 進(jìn)入烘烤后維持流量20-150L/min?烘烤程序設(shè)置(參考工藝)?
1. 升溫階段:25℃→150℃(斜率3℃/min)
2. 恒溫階段:150℃±0.5℃維持2小時(shí)
3. 降溫階段:自然冷卻至80℃以下開門(禁止強(qiáng)制風(fēng)冷)?:ml-citation{ref="2,6" data="citationList"}
?芯片封裝防氧化?
高敏感芯片:采用分段充氮(預(yù)熱階段流量提升至15L/min)?
銀膠固化:250℃恒溫期間氧濃度監(jiān)控頻率提升至每1分鐘/次?
?基板烘烤除潮?
濕度控制:烘烤后基板含水率需<50ppm(搭配在線濕度傳感器)?
多層基板:增加熱風(fēng)循環(huán)風(fēng)速至2.5m/s(穿透性加熱)?
?常見缺陷對(duì)策?問題現(xiàn)象原因分析解決方案
框架發(fā)黃/發(fā)紫 | 氧氣濃度超標(biāo) | 檢查氮?dú)夤?yīng)管路密封性? |
芯片表面顆粒物粘附 | 潔凈度未達(dá)標(biāo) | 更換HEPA過濾器? |
溫度波動(dòng)>±1℃ | 控制器標(biāo)定/傳感器偏移 | 每月校準(zhǔn)溫控系統(tǒng)? |
?設(shè)備維護(hù)規(guī)范?建議
每日:清潔內(nèi)腔殘留物(使用無塵布+異丙醇)?
每月:更換氮?dú)膺^濾器,
每年:校準(zhǔn)氧濃度傳感器?
?操作防護(hù)?
必須佩戴耐高溫手套(接觸150℃以上部件)?
開門前確認(rèn)氧濃度>18%(防止氮?dú)庵舷L(fēng)險(xiǎn))?
?緊急處置?
溫度失控:立即關(guān)閉加熱電源,保持氮?dú)饬魍ㄉ?
氮?dú)庑孤簡?dòng)排風(fēng)系統(tǒng),人員撤離至通風(fēng)區(qū)域?