就
是
對(duì)
待
工
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的
態(tài)
度
,
個(gè)產(chǎn)品,
做到極致認(rèn)真
每一組數(shù)據(jù)
新 聞 動(dòng) 態(tài)
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當(dāng)制備好的晶圓經(jīng)過(guò)氧化處理后,便進(jìn)入了芯片前道工藝的光刻工序,大家應(yīng)該都知道光刻機(jī),如果將光刻機(jī)比作芯片行業(yè)的引擎,那么光刻膠就是助推引擎的燃料。
光刻膠(烤箱)就是圖中橙色的部分,也有人將其稱(chēng)為光阻劑。光刻膠分為正膠和負(fù)膠,正膠經(jīng)過(guò)曝光后會(huì)溶解于顯影液,負(fù)膠則是相反的。按照曝光光源的波長(zhǎng)分類(lèi),光刻膠分為g線,i線,KrF,ArF以及EUV光刻膠,由左到右,光刻膠對(duì)應(yīng)的曝光波長(zhǎng)逐漸變短,先進(jìn)的EUV光刻膠對(duì)應(yīng)曝光波長(zhǎng)只有13.5nm,可用于10nm以下的芯片制程,但目前EUV光刻機(jī)只有荷蘭ASML能制造。
光刻膠的組分一直是國(guó)外廠商的機(jī)密,很難通過(guò)逆向解析的手段還原。一般而言,光刻膠的組分包括光引發(fā)劑,樹(shù)脂基體,單體以及助劑。當(dāng)光刻膠經(jīng)過(guò)紫外光照射后,發(fā)生一系列的物理化學(xué)變化,電路圖形就從掩膜版上轉(zhuǎn)移到光刻膠上面,經(jīng)過(guò)刻蝕后,晶圓片上就形成了對(duì)應(yīng)的圖案。